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【2h】

Formation of distinctive structures of GaN by inductively-coupled-plasma and reactive ion etching under optimized chemical etching conditions

机译：在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构

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N. Okada; K. Nojima; N. Ishibashi; K. Nagatoshi; N. Itagaki; R. Inomoto; S. Motoyama; T. Kobayashi; K. Tadatomo;
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年度 2017
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1. Formation of distinctive structures of GaN by inductively-coupled-plasma and reactive ion etching under optimized chemical etching conditions [J] . N. Okada, K. Nojima, N. Ishibashi, AIP Advances . 2017,第6期

机译：通过在优化化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体形成GaN的截面结构和反应离子蚀刻
2. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces to prepare AlGaN/GaN heterestructures with high electron mobility (～1500cm~2V~(-1)s~(-1): Impacts of reactive-ion etching-damaged layer removal [J] . Yamamoto Akio, Kanatani Keito, Makino Shinya, Japanese journal of applied physics . 2018,第12期

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机译：用于制备悬浮高纵横比微结构的单次运行单面膜电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺
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